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PROPRIETES PHOTOELECTRIQUES DES HETEROJONCTIONS ZNP₂(D₄⁸)-ZNP₂(C_2H⁵)RADAUTSAN SI; SYRBU NN; STAMOV IG et al.1977; DOKL. AKAD. NAUK S.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 236; NO 1; PP. 72-74; BIBL. 6 REF.Article

THERMALLY STIMULATED CURRENT REVERSALS IN ZNO PHOTOELECTRETS.PILLAI PKC; RABINDERNATH; NAIR PK et al.1976; PHYS. LETTERS, A; NETHERL.; DA. 1976; VOL. 58; NO 7; PP. 474-476; BIBL. 15 REF.Article

PHOTOGALVANIC EFFECTS INVESTIGATION IN GALLIUM ARSENIDEALPEROVICH VL; BELINICHER VI; NOVIKOV VN et al.1982; FERROELECTRICS; ISSN 0015-0193; USA; DA. 1982; VOL. 45; NO 1-2; PP. 1-12; BIBL. 29 REF.Article

EFFET PHOTOELECTRIQUE DANS LES MAGNETO-DIODESDAUDERIS VA; STRUOGYUS YU LS.1981; Z. TEH. FIZ.; ISSN 0044-4642; SUN; DA. 1981; VOL. 51; NO 7; PP. 1563-1564; BIBL. 1 REF.Article

CARACTERISTIQUES PHOTOELECTRIQUES DES STRUCTURES P-PI -NU -N A BASE DE GAAS(FE)VILISOV AA; GAMAN VI; DIAMANT VM et al.1980; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 4; PP. 625-628; BIBL. 8 REF.Article

EFFET PHOTO-ELECTRIQUE DANS LES CELLULES SANDWICHES MULTICOUCHES RENFERMANT DE LA PHTALOCYANINEILATOVSKIJ VA; DMITRIEV IB; KOMISSAROV GG et al.1980; Z. FIZ. HIM.; ISSN 0044-4537; SUN; DA. 1980; VOL. 54; NO 5; PP. 1219-1222; BIBL. 4 REF.Article

MISE EN EVIDENCE D'UNE INSTABILITE DE L'EFFET PHOTOELECTRIQUE DANS DES STRUCTURES MULTIJONCTIONS MATRICIELLES BASEES SUR DU SILICIUMAGAEV YA; BAZAROV BA; ZADDEH VV et al.1978; IZVEST. AKAD. NAUK TURKM. S.S.R., FIZ.-TEKH. KHIM. GEOL. NAUK; SUN; DA. 1978; NO 2; PP. 19-23; ABS. ENG; BIBL. 7 REF.Article

QUELQUES PARTICULARITES DES PROPRIETES PHOTOELECTRIQUES D'UNE HETEROSTRUCTURE SNO₂-INSEBARANYUK VB; MALIK AI; MANASSON VA et al.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 1; PP. 8-12; BIBL. 5 REF.Article

OBSERVATION D'UN EFFET PHOTOGALVANIQUE "LINEAIRE" DANS L'ANTIMONIURE D'INDIUMANDRIANOV AV; YAROSHETSKIJ ID.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 4; PP. 706-708; BIBL. 7 REF.Article

THEORIE DES PROPRIETES PHOTOELECTRIQUES DES STRUCTURES AVEC UNE DISTRIBUTION UNIDIMENSIONNELLEMENT NON UNIFORME DES IMPURETESNEUSTROEV LN; OSIPOV VV.1980; MIKROELEKTRONIKA; SUN; DA. 1980; VOL. 9; NO 2; PP. 99-106; BIBL. 11 REF.Article

ANOMALIES DE L'EFFET PHOTOMAGNETIQUE ET ETAT DE LA COUCHE AU VOISINAGE DE LA SURFACE DANS LES CRISTAUX D'ARSENIURE DE GALLIUM DE HAUTE RESISTIVITEOSTROBORODOVA VV; AL KUVEJTI MS.1979; VEST. MOSKOV. UNIV., 3; SUN; DA. 1979; VOL. 20; NO 2; PP. 36-45; BIBL. 12 REF.Article

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EFFET DE PHOTOENREGISTREMENT POSITIF SUR DES COUCHES DE SEMICONDUCTEURS VITREUX CHALCOGENURESTURYANITSA II; KIKINESHI AA; SEMAK DG et al.1979; UKRAIN. FIZ. ZH.; UKR; DA. 1979; VOL. 24; NO 4; PP. 534-537; ABS. ENG; BIBL. 11 REF.Article

DYNAMIQUE DE LA DISTRIBUTION DES CHARGES PHOTOINDUITES ET DES CHAMPS ELECTRIQUES DANS LES CRISTAUXBRYKSIN VV; KOROVIN LI.1982; FIZ. TVERD. TELA; ISSN 0367-3294; SUN; DA. 1982; VOL. 24; NO 7; PP. 2030-2036; BIBL. 6 REF.Article

THE PARAMETERS OF POLARIZATION PHOTOSENSITIVITY OF ISOTROPIC SEMICONDUCTORSMEDVEDKIN GA; RUD YV.1981; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1981; VOL. 57; NO 1; PP. 333-337; ABS. RUS; BIBL. 5 REF.Article

PROPRIETES ELECTRIQUES ET PHOTOELECTRIQUES DE SEMICONDUCTEURS A HETEROJONCTIONS, OBTENUS PAR IRRADIATION LASERABDULLAEV GB; ISKENDERZADE ZA; DZHAFAROVA EH A et al.1978; AKAD. NAUK AZERBAJDZH. S.S.R., DOKL.; SUN; DA. 1978; VOL. 34; NO 9; PP. 25-27; ABS. AZE/ENG; BIBL. 10 REF.Article

PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF CDS BINDER LAYERS FOR IMAGE RECORDINGBALCHEV NA; KOLENTSOV KM; VATEVA EM et al.1983; JOURNAL OF ELECTROSTATICS; ISSN 0304-3886; NLD; DA. 1983; VOL. 14; NO 1; PP. 1-5; BIBL. 9 REF.Article

PHOTOELECTRIC EFFECTS IN BILAYER LIPID MEMBRANES CONTAINING COVALENTLY LINKED PORPHYRIN COMPLEXESJOSHI NB; LOPEZ JR; TIEN HT et al.1982; JOURNAL OF PHOTOCHEMISTRY; ISSN 0047-2670; CHE; DA. 1982; VOL. 20; NO 2; PP. 139-151; BIBL. 29 REF.Article

EFFETS PHOTOVOLTAIQUES TRANSVERSAUX DANS LE GERMANIUM ET LE SILICIUM AVEC ECLAIREMENT PAR IMPULSIONS LASERBOJKO II; ZHAD'KO IP; KOZLOVSKIJ SI et al.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 10; PP. 1803-1809; BIBL. 16 REF.Article

ETUDE DE L'ETAT PHOTOELECTRET DANS LES CRISTAUX DE SILICIUM AYANT UNE FORTE DENSITE DE DISLOCATIONSYAKIMOV EB; YARYKIN NA; NIKITENKO VI et al.1980; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 2; PP. 295-301; BIBL. 21 REF.Article

THE MAGNETIC FIELD DEPENDENCE OF THE PEM EFFECT IN MELT-GROWN INSB THIN LAYERSOSZWALDOWSKI M.1979; J. PHYS. CHEM. SOLIDS; ISSN 0022-3697; USA; DA. 1979; VOL. 40; NO 9; PP. 675-681; BIBL. 16 REF.Article

PHOTOPHYSIKALISCHE EIGENSCHAFTEN ELEKTROPHOTOGRAPHISCHER SELEN-BINDEMITTELSCHICHTEN = PROPRIETES PHOTOPHYSIQUES DE COUCHES DE SELENIUM-LIANT ELECTROPHOTOGRAPHIQUESFIEDLER H; HERMS W; HEDERMANN W et al.1979; J. SIGNALAUFZEICHN.-MATER.; DDR; DA. 1979; VOL. 7; NO 1; PP. 39-43; ABS. RUS/ENG; BIBL. 10 REF.Article

PHOTOIONISATION D'UNE BILACUNE A DEUX CHARGES DANS LE SILICIUMKARPOV VG; KOLESNIKOV NV; ROZANOV YU N et al.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; VOL. 12; NO 8; PP. 1508-1511; BIBL. 14 REF.Article

SURFACE PHOTOVOLTAGE DUE TO TO PHOTO-THERMO-IONIZATION OF SURFACE STATES: GAAS.MORAWSKI A; SLUSARCZUK MMG; LAGOWSKI J et al.1977; SURF. SCI.; NETHERL.; DA. 1977; VOL. 69; NO 1; PP. 53-61; BIBL. 9 REF.Article